開關電源技術發展和十大關注焦點

1998年，Infineon公司推出冷mo管，采用“超級結”Super-Junct結構，故又稱超結功率MOSFET工作電壓600V800V通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍堅持開關速度快的特點，一種有發展前途的高頻功率半導體電子器件。

IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有600V25A 很長一段時間內，耐壓水平限于1200V1700V經過長時間的探索研究和改進，現在IGBT電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A 和4500V/1800A 高壓IGBT單片耐壓已達到6500V一般IGBT工作頻率上限為20kHz40kHz基于穿通(PT型結構應用新技術制造的IGBT可工作于150kHz硬開關)和300kHz軟開關)

IGBT技術進展實際上是通態壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT20年歷史發展進程中，有以下幾種類型：穿通(PT型、非穿通(NPT型、軟穿通(SPT型、溝漕型和電場截止(FS型。

碳化硅Sic功率半導體器件晶片的理想資料，其優點是禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。www.183s54.cn